Team Group D416gb 3200-16 T-force Delta Wh K2 Tem

Team Group DELTA RGB. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 16 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 2 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 3200 MHz, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 16 RAM / Technologie=DDR3;RAM / Technologie=DDR4;En-tête / Fabricant=Team Group;Type de Produit=Mémoire RAM;Tranche de poids=100 à 250 g;Titre=D416gb 3200-16 T-force Delta Wh K2 Tem;RAM Capacité=12 Go;RAM / Vitesse de Mémoire=3200 MHz

Als je een fan bent van IT en elektronica, blijf up-to-date in de wereld van technologie en mis zelfs de kleinste details niet, koop RAM geheugen Team Group T-Force Delta RGB DDR4 tegen een onklopbare prijs. Kleur: Multicolour Eigenschappen: Met Achtergrondverlichting Vermogen: 16 GB Compatibel: Intel XMP 2.0 PC/Server Verbinding: 288-pin DIMM Soort: DDR4 Spanning: 1,35 V Vertraging: CL16 Versie: 2.0 Formaat: 2 x 8 GB Snelheid: 3200 MHz

Kit DIMM 16 Go DDR4-3200, mémoire Le Team Group TF4D416G3200HC16FDC01 est un kit de deux modules de mémoire DDR4-3200 (PC4-25600) de 8 Go de la série Delta RGB. La capacité totale est de 16 Go. Les modules supportent des timings de 16-20-20-40 à 3200 MHz et nécessitent une tension de 1,35 V. Une caractéristique de la série Delta RGB est l'éclairage LED RGB réglable individuellement. La version 2.0 du profil de mémoire XMP d'Intel est prise en charge. Type : SDRAM DDR4 Couleur blanche Code EAN : 0765441654587 Numéro de fabricant : TF4D416G3200HC16FDC01 Série : Delta RGB Capacité : 16GB (2 x 8GB) Quantité : 2 pièces Forme : DIMM Connecteur : 288 broches Tension : 1,35 volts par défaut : DDR4-3200 (PC4- 25600) Horloge physique : 1600 MHz Timings : Latence CAS (CL) 16 Timings : Délai RAS vers CAS (tRCD) 20 Timings : Temps de précharge RAS (tRP) 20 Timings : Temps d'activation de ligne (tRAS) 40 Caractéristiques : XMP 2.0 Informations supplémentaires : La DDR4 est l'évolution de la DDR3 et offre une série de nouveautés et d'avantages par rapport à son prédécesseur, comme une consommation d'énergie réduite de 40 %, des vitesses plus élevées, une densité de données plus importante (permet des modules de mémoire d'une capacité allant jusqu'à 128 Go, et à l'avenir jusqu'à 512 Go) ainsi qu'une stabilité de fonctionnement améliorée grâce à des techniques de correction d'erreurs avancées comme CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-Chip Parity Detection) et "Per DRAM Addressability ".