Silicon Power Silicon Power Ddr4 8go 2666mhz Sodimm

SP DDR4 SODIMM • Complies with JEDEC standards • Low voltage of 1.2V for less power consumption • 100% tested for stability, durability, and reliability • 100% verified for compatibility on mainstream DDR4 motherboards • Looking for the right DRAM module? Use the compatibility search tool on our website

Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus facilement cette série DDR4 SODIMM offre une vitesse très rapide allant jusqu’aux 3200 MT/s. De plus la technologie DDR4 est jusquà deux fois plus rapide que son prédécesseur la DDR3 offrant plus de bande passante et une meilleure efficacité énergétique. Une simple mise à niveau permet daccélérer le temps de chargement des applications daugmenter la réactivité et de gérer facilement les programmes à forte densité de données.

Mémoire RAM Non communiqué SILICON POWER - DDR4 - module - 8 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC

Fiche d'information : SILICON POWER - DDR4 - module - 8 Go - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sans tampon - non-ECC Groupe RAM Fabricant Silicon Power Fabricant Art. No. SP008GBSFU266X02 Modèle SILICON POWER EAN/UPC 4713436143956 Description du produit : SILICON POWER - DDR4 - Module - 8 Go - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - sans tampon Type de module de mémoire Capacité 8 Go Type de mémoire DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Type d'extension Générique Contrôle de l'intégrité des données Non-ECC Vitesse 2666 MHz (PC4-21300) Temps de latence CL19 Caractéristiques de performance Sans tampon Tension 1.2 V Détails généraux Capacité 8 Go Type d'extension générique Mémoire Type de DRAM Module de mémoire Technologie DDR4 SDRAM Facteur de forme SO DIMM 260-PIN Vitesse 2666 MHz (PC4-21300) Temps de latence CL19 Contrôle d'intégrité des données Non-ECC Particularités non tamponnées Tension 1.2 V Divers Marquage FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC.